[发明专利]窄发散角脊波导半导体激光器有效
| 申请号： | 201410770523.4 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN104466675B | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 车相辉;赵润;曹晨涛;陈宏泰;宁吉丰;张宇;位永平;郝文嘉;王彦照;林琳;杨红伟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种窄发散角脊波导半导体激光器，包括衬底层、缓冲层、N型限制层、下限制层、下波导层、多量子阱区、上波导层、上限制层、腐蚀阻挡层、P型限制层和电极接触层；在缓冲层和N型限制层之间还设有扩展波导层，扩展波导层为N型InGaAsP材料，扩展波导层的厚度为0.2μm‑0.5μm，下波导层的厚度为0.05μm‑0.15μm，上波导层的厚度为0.05μm‑0.15μm，扩展波导层到多量子阱区的距离为1μm‑2μm；P型限制层和电极接触层设置在腐蚀阻挡层的纵向中部，构成脊波导；采用小球透镜封装。本发明减小了垂直发散角，提高耦合效率，温度特性能满足要求，工艺过程简化，提高芯片成品率，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 发散 波导 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种窄发散角脊波导半导体激光器，包括衬底层（1）、在衬底层（1）上由下至上依次设有的缓冲层（2）、N型限制层（4）、下限制层（5）、下波导层（6）、多量子阱区（7）、上波导层（8）、上限制层（9）、腐蚀阻挡层（10）、P型限制层（11）和电极接触层（12）；其特征在于在缓冲层（2）和N型限制层（4）之间还设有扩展波导层（3），所述扩展波导层（3）为N型InGaAsP材料，扩展波导层（3）的厚度为0.2μm‑0.5μm，所述下波导层（6）的厚度为0.05μm‑0.15μm，上波导层（8）的厚度为0.05μm‑0.15μm，扩展波导层（3）到多量子阱区（7）的距离为1μm‑2μm；所述P型限制层（11）和电极接触层（12）设置在腐蚀阻挡层（10）的纵向中部，构成脊波导；采用直径为1.5mm‑2.0mm的小球透镜封装。
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