[发明专利]磁阻传感器屏蔽有效
| 申请号： | 201410767077.1 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104715765B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | E·W·辛格尔顿;谭利文;李宰荣 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G11B5/127 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了磁阻传感器屏蔽。本文所公开的实施方式提供用于包括合成反铁磁(SAF)结构的磁阻(MR)传感器，SAF结构磁耦合到侧屏蔽元件。SAF结构包括至少一个由铁磁材料与耐火材料组成的合金的非晶磁性层。非晶磁性层可以与非磁性层接触并且反铁磁性耦合到与非磁性层的相反表面接触的层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 传感器 屏蔽 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻传感器包括：合成反铁磁SAF结构磁耦合到侧屏蔽元件，所述的SAF结构包括由耦合间隔层隔开的钉扎层和参考层，所述耦合间隔层在两个相反表面与所述钉扎层和所述参考层接触，以及所述钉扎层和所述参考层各自包括交替的非晶合金层和结晶铁磁层，所述的非晶合金层包括铁磁材料和耐火材料。
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