[发明专利]一种聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法

摘要

一种聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法，涉及一种疏水薄膜的制备方法。所述方法步骤如下：（一）前处理；（二）镀制工艺；（三）后处理。本发明对硅片进行了浓硫酸和双氧水的混合液浸泡，超声波清洗等前处理，使得硅片表面具有良好的亲水特性，有利于镀膜过程形成的膜层更均匀，附着性更好；采用高温退火后处理，进一步强化了膜层与基底之间的结合力，提高了膜层结构致密度，增强了疏水基底的耐用性，界面结构清晰；采用旋涂的方法在硅片表面镀制疏水膜层，方法简单，环境友好，价格低廉，能够很好的满足所需要的疏水要求。

主权项

一种聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法，其特征在于所述方法步骤如下：（一）前处理：（1）在60～90℃环境中，将硅基底在浓硫酸和双氧水的混合溶液中浸泡30～90分钟；（2）将硅基底用丙酮超声波清洗10～30分钟，重复1～2次；再用酒精超声波清洗10～30分钟，重复1～2次；最后用去离子水超声波清洗10～30分钟，重复1～2次；（二）镀制工艺：（1）开启旋涂机盖，将硅基底置于真空吸盘上，使硅片的中心正对吸盘的中心；（2）开启真空泵，将吸盘内抽为真空，固定硅基底；（3）使用注射器将聚四氟乙烯分散液均匀涂抹在硅片上； （4）通入氮气，关闭旋涂机盖，对工作腔进行保护，保证腔体内部洁净，控制腔体内温度为15~25℃、相对湿度为20~80%；；（5）设计旋涂机工作流程，第一阶段旋转速度为500～1000rpm，时间为10～20s，第二阶段旋涂速度为2500～5000rpm，时间为15～60s，第三阶段为500～1000rpm，时间为5～20s；开启运行按钮，开始对硅片表面进行旋涂镀膜；（三）后处理：将镀有均匀聚四氟乙烯膜层的硅片，放入250～500℃的马弗炉中，退火处理30～130分钟，使膜层中的水分全部蒸干。