[发明专利]一种压电调制垂直腔半导体激光器结构有效
| 申请号： | 201410759292.7 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104377545B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;吕朝蕙;李军;尧舜;邱运涛;贾冠男;高祥宇;雷宇鑫 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/06;H01S5/10 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司11335 | 代理人： | 戴凤仪 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种压电调制垂直腔半导体激光器结构，其包括单晶片衬底(1)、缓冲层(2)、n型DBR反射镜(3)、载流子下限制层(4)、增益区(5)、载流子上限制层(6)、光电限制层(7)、p型DBR反射镜(8)、欧姆电极接触层(9)、第一透明电极(10)、两个第二金层(11)、SiO2增透膜(12)、两个SiN绝缘层(13)、第二透明电极(14)、两个第三金层(15)、第一金层(16)。其在加电工作时利用SiO2增透膜的压电特性使垂直腔半导体激光器的腔发生不同程度的形变，从而实现对垂直腔半导体激光器输出功率的压电调制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 调制 垂直 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】：
一种压电调制垂直腔半导体激光器结构，其特征在于，包括：单晶片衬底(1)、缓冲层(2)、n型DBR反射镜(3)、载流子下限制层(4)、增益区(5)、载流子上限制层(6)、光电限制层(7)、p型DBR反射镜(8)、欧姆电极接触层(9)、第一透明电极(10)、两个第二金层(11)、SiO2增透膜(12)、两个SiN绝缘层(13)、第二透明电极(14)、两个第三金层(15)、第一金层(16)；其中，单晶片衬底(1)、缓冲层(2)、n型DBR反射镜(3)、载流子下限制层(4)、增益区(5)、载流子上限制层(6)、光电限制层(7)、p型DBR反射镜(8)和欧姆电极接触层(9)等宽；且，所述第一金层(16)蒸镀于所述单晶片衬底(1)下方；所述单晶片衬底(1)上方依次生成缓冲层(2)、n型DBR反射镜(3)、载流子下限制层(4)、增益区(5)、载流子上限制层(6)、光电限制层(7)、p型DBR反射镜(8)和欧姆电极接触层(9)；进一步的，所述第一透明电极(10)蒸镀于所述欧姆电极接触层(9)的中心区域；所述两个第二金层(11)分别蒸镀于所述欧姆电极接触层(9)上且位于所述第一透明电极(10)两侧；且所述第一透明电极(10)和所述两个第二金层(11)的总宽度与单晶片衬底(1)宽度相同；所述SiO2增透膜(12)二次外延生长于所述第一透明电极(10)上，且所述SiO2增透膜(12)与所述第一透明电极(10)等宽、两侧分别与所述第一透明电极(10)两侧在同一垂直平面；所述两个SiN绝缘层(13)分别生长于所述两个第二金层(11)上且位于所述SiO2增透膜(12)两侧；所述第二透明电极(14)蒸镀于所述SiO2增透膜(12)上，且所述第二透明电极(14)与所述SiO2增透膜(12)等宽，且两侧分别与所述SiO2增透膜(12)两侧在同一垂直平面；所述两个第三金层(15)分别生长于所述两个SiN绝缘层上且位于所述第二透明电极(14)两侧，所述两个第三金层(15)与所述两个SiN绝缘层(13)等宽。
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