[发明专利]一种共掺杂TiO2压敏陶瓷的方法、共掺杂TiO2压敏电阻及其制备方法有效
| 申请号： | 201410749277.4 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104649661A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 甘国友;康昆勇;严继康;易建红;杜景红;张家敏;刘意春;鲍瑞;谈松林;赵文超;荣雪全;王志敏 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;C04B35/622 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 650093云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种共掺杂TiO2压敏陶瓷的方法、共掺杂TiO2压敏电阻及其制备方法，属于电器元件及其材料制造技术领域。首先将Ge、GeO2、V2O5、Y2O3加入到TiO2中得到混合物料，然后混合物料湿磨、干燥、过筛后造粒、造粒后继续过筛、再将粉料压制成小圆片；将小圆片加热排胶，再热烧结冷却到室温制备得到（Ge、GeO2、V2O5、Y2O3）共掺杂TiO2压敏陶瓷；该压敏陶瓷表面加工、被电极、烧银后封装得到（Ge、GeO2、V2O5、Y2O3）共掺杂TiO2压敏电阻。本发明提高了TiO2系压敏陶瓷电阻的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 tio2 陶瓷 方法 压敏电阻 及其 制备 | ||
【主权项】：
一种（Ge、GeO2、V2O5、Y2O3）共掺杂TiO2压敏陶瓷，其特征在于：该（Ge、GeO2、V2O5、Y2O3）共掺杂TiO2压敏陶瓷包括以下质量百分比组分：Ge0.3%、GeO20.9％、V2O5和Y2O3各占0.5％，剩余为TiO2。
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