[发明专利]高压隔离环结构有效
| 申请号： | 201410748615.2 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104465722A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王惠惠;金锋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压隔离环结构，包含用于电平位移的高耐压场效应晶体管及高压隔离环，所述的高压隔离环为封闭的闭环结构，形成位于环内的高端电压区域和位于环外的低端电压区域；所述的高压隔离环无高压过渡区；所述的高压场效应晶体管位于闭环结构的外侧，与隔离环之间等距环绕一段隔离环。本发明高压隔离环结构无需复杂的高压过渡区，为一种单一的环形耐压结构，所述的高耐压场效应晶体管引入寄生JFET结构，使得高耐压场效应晶体管的漏端具有一定的自夹断功能从而实现自保护，解决了由于逻辑信号时序导致隔离环漏电的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 隔离 结构 | ||
【主权项】：
一种高压隔离环结构，包含用于电平位移的高耐压场效应晶体管及高压隔离环，所述的高压隔离环为闭环结构，且形成有弯曲的弧度区；位于闭环内的为高端电压区域，位于闭环外的为低端电压区域；其特征在于：所述的高压隔离环为无高压过渡区的单一的闭环结构；所述的高压场效应晶体管位于闭环结构的弧度区，其与所述高压隔离环共用漏区，其源极及栅极位于高压隔离环的外侧。
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