[发明专利]一种利用特制偶联剂处理SiO2增强PEEK的制备在审
| 申请号： | 201410747062.9 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105733180A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘刚;代汝军;马俊杰 | 申请（专利权）人： | 黑龙江鑫达企业集团有限公司 |
| 主分类号： | C08L61/16 | 分类号： | C08L61/16;C08K9/06;C08K9/00;C08K3/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150060 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用特制偶联剂处理SiO2增强PEEK的制备方法，通过利用特制的耐高温硅烷偶联剂对已经进行过等离子体改性的SiO2进行二次改性处理，增强表面活性，通过熔融挤出法与PEEK进行共混，形成SiO2高利用率的增强PEEK复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 特制 偶联剂 处理 sio sub 增强 peek 制备 | ||
【主权项】：
一种利用特制偶联剂处理SiO2增强PEEK的制备方法，通过利用特制的耐高温硅烷偶联剂对已经进行过等离子体改性的SiO2进行二次改性处理，增强表面活性,通过熔融挤出法与PEEK进行共混，形成SiO2高利用率的增强PEEK复合材料。
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