[发明专利]一种四氧化三钴介孔纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 201410741019.1 | 申请日： | 2015-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN104478006B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 胡秀兰;黄惠洪 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司11401 | 代理人： | 于永进 |
| 地址： | 210009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有介孔结构的四氧化三钴纳米片的制备方法。在不添加任何表面活性剂和模板的条件下，首先通过简单温和的溶液法在低温下合成纳米片状结构的前驱体，然后经热分解得到介孔结构的四氧化三钴纳米片。通过该方法制得的Co3O4纳米片比表面积大，且具有良好的分散性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 三钴介孔 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Co3O4介孔纳米片的制备方法，包括以下步骤：1)前驱体的制备配置硝酸钴和环六亚甲基四胺(C6H12N4)的混合溶液，混合溶液中Co2+的浓度为0.05‑0.2mol/L，硝酸钴与环六亚甲基四胺的摩尔比为0.2‑0.8:1，然后将溶液置于可密闭容器中，溶液占容器容积的70‑80％；将密闭后的容器放入烘箱中，在130‑150℃静置反应8‑12小时，反应结束后，经冷却、过滤、清洗、干燥得到紫红色的前驱体粉体；2)Co3O4介孔纳米片的制备将步骤1)制得的前驱体粉体在150‑600℃热处理0.5‑8小时，得到Co3O4介孔纳米片。
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