[发明专利]一种低温宽频带低噪声放大器在审
| 申请号： | 201410735258.6 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN104467691A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 郭国平;郑智雄;李海鸥;曹刚;肖明;郭光灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;郑哲 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温宽频带低噪声放大器，包括：用于降低场效应晶体管FET在宽频带内输入回波损耗和噪声的输入匹配电路、用于使低温宽频带低噪声放大器产生平坦高增益的级间匹配电路，以及用于降低FET在宽频带内输出回波损耗的输出匹配电路；其中，所述输入匹配电路、级间匹配电路与输出匹配电路依次串联。通过采用本发明公开的放大器，不仅可以保证在低温环境下稳定工作，而且在3.5—8GHZ的宽频带内，放大器能达到25dB的增益，同时增益平坦度小于2dB，并且保证放大器的噪声和回波损耗在宽频带内足够低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 宽频 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
一种低温宽频带低噪声放大器，其特征在于，包括：用于降低场效应晶体管FET在宽频带内输入回波损耗和噪声的输入匹配电路、用于使低温宽频带低噪声放大器产生平坦高增益的级间匹配电路，以及用于降低FET在宽频带内输出回波损耗的输出匹配电路；其中，所述输入匹配电路、级间匹配电路与输出匹配电路依次串联。
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