[发明专利]像素结构的制造方法及液晶显示面板的制造方法在审

专利信息
申请号: 201410733936.5 申请日: 2014-12-05
公开(公告)号: CN104407463A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 吕思慧;李明贤 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种像素结构及液晶显示面板的制造方法,像素结构的制造方法包括在基板上形成通道、栅绝缘层、第一图案化导电层、第一绝缘层与第二图案化导电层,第一图案化导电层包括栅极,第二图案化导电层包括源极与漏极,源极、栅极与漏极电性连接通道,在基板上方形成第二绝缘层以覆盖漏极,在第二绝缘层上形成图案化平坦层,图案化平坦层具有第一接触窗,第一接触窗暴露第二绝缘层,移除部分位于第一接触窗内的第二绝缘层以形成第二接触窗,第二接触窗暴露漏极,在图案化平坦层上形成像素电极,其通过第二接触窗而电性连接漏极。
搜索关键词: 像素 结构 制造 方法 液晶显示 面板
【主权项】:
一种像素结构的制造方法,其特征在于,包括:在一基板上形成一通道、一栅绝缘层、一第一图案化导电层、一第一绝缘层与一第二图案化导电层,其中该第一图案化导电层包括一栅极,该第二图案化导电层包括一源极与一漏极,该源极与该漏极电性连接该通道并与该栅极构成一薄膜晶体管;在该基板上方形成一第二绝缘层以覆盖该漏极;在该第二绝缘层上形成一图案化平坦层,其中该图案化平坦层具有一第一接触窗,该第一接触窗暴露该第二绝缘层;移除部分位于该第一接触窗内的该第二绝缘层以形成一第二接触窗,其中该第二接触窗暴露该漏极;以及在该图案化平坦层上形成一像素电极,其中该像素电极通过该第二接触窗而电性连接该漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410733936.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top