[发明专利]低介电常数的多层聚酰亚胺膜、其层合体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410733633.3 申请日: 2014-12-04
公开(公告)号: CN104691066B 公开(公告)日: 2018-07-03
发明(设计)人: 赖俊廷;林志维 申请(专利权)人: 达迈科技股份有限公司
主分类号: B32B27/06 分类号: B32B27/06;B32B27/18;B32B27/28;B32B15/08;B32B37/02;B32B38/18;C08G73/10
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 张海涛;于辉
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明涉及低介电常数的多层聚酰亚胺膜、其层合体及其制备方法。所述多层聚酰亚胺膜包括:第一聚酰亚胺层,其中混掺有含氟高分子粒子,该第一聚酰亚胺层具有相对的第一、第二表面;以及第二、第三聚酰亚胺层,为分别形成于该第一聚酰亚胺层的该第一、第二表面上,该第二、第三聚酰亚胺层中分别含有有机硅氧化合物粒子;其中该多层聚酰亚胺膜的整体热膨胀系数(CTE)介于约13与30ppm/℃之间。
搜索关键词: 聚酰亚胺层 多层聚酰亚胺膜 低介电常数 第二表面 层合体 制备 粒子 有机硅氧化合物 含氟高分子 热膨胀系数
【主权项】:
1.一种多层聚酰亚胺膜,包括:第一聚酰亚胺层,其中混掺有含氟高分子粒子,所述第一聚酰亚胺层具有相对的第一、第二表面;其中所述第一聚酰亚胺层由二胺单体及二酸酐单体经缩合反应而成,以通式(A)a‑(B)b‑(C)c‑(D)d表示,A及B为二胺单体,C及D为二酸酐单体,a、b、c、d为摩尔数,a+b+c+d=1,a+b=0.5且c+d=0.5,二胺单体A:对苯二胺(PDA)、4,4’‑二胺基‑2,2’‑二甲基‑1,1’‑联苯(m‑TB‑HG)、6‑胺基‑2‑(4‑胺基苯基)‑苯并唑(6PBOA))、5‑胺基‑2‑(4‑胺基苯基)‑苯并唑(5PBOA)及2,2’‑双(三氟甲基)联苯胺(TFMB);二胺单体B:二胺基二苯醚(ODA)、1,3‑双(4'‑胺基苯氧基)苯(TPER)、1,4‑双(4‑胺基苯氧基)苯(TPEQ)、1,3‑双(3‑胺基苯氧基)苯(APBN)、3,5‑二胺基三氟甲苯(DABTF)及2,2'‑双[4‑(4‑胺基苯氧基苯基)]丙烷(BAPP);二酸酐单体C:均苯四甲酸二酸酐(PMDA)及3,3',4,4'‑联苯四羧酸二酸酐(BPDA);二酸酐单体D:2,2‑双[4‑(3,4‑二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酸酐(BPADA)、4,4'‑(六氟异丙烯)二酞酸酐(6FDA)、二苯醚四甲酸二酸酐(ODPA)、3,3',4,4'‑二环己基四甲酸二酐(HBPDA)及苯酮四羧酸二酸酐(BTDA);其中,所述含氟高分子粒子占所述第一聚酰亚胺层10wt%至45wt%,其中,(1)当该含氟高分子粒子的添加量介于10‑20wt%时,所述二胺单体选自A,而所述二酸酐单体是同时选自C与D,可于各组中选择一种或多种,且,限制条件为,b=0,0.05≦d≦0.15,且c不可为0;(2)当该含氟高分子粒子的添加量介于20‑30wt%时:1)所述二胺单体选自B,而所述二酸酐单体是同时选自C与D,可于各组中选择一种或多种,且,限制条件为,a=0,0.1≦b+d≦0.3;或2)所述二胺单体是同时选自A及B,而所述二酸酐单体是同时选自C与D,可于各组中选择一种或多种,且,限制条件为,0.1≦b+d≦0.3;或3)所述二胺单体选自A,而所述二酸酐单体是同时选自C与D,可于各组中选择一种或多种,且,限制条件为,b=0,0.05≦d≦0.15,且c不可为0;或(3)当该含氟高分子粒子的添加量介于30‑45wt%时:1)所述二胺单体选自A,而所述二酸酐单体是同时选自C与D,可于各组中选择一种或多种,且,限制条件为,b=0,0≦d≦0.075;2)所述二胺单体选自B,而所述二酸酐单体是同时选自C与D组,可于各组中选择一种或多种,且,限制条件为,a=0,b+d<0.15;或3)所述二胺单体系同时选自A与B组,而所述二酸酐单体是同时选自C与D组,可于各组中选择一种或多种时,且,限制条件为,b+d<0.15;以及第二、第三聚酰亚胺层,为分别形成于所述第一聚酰亚胺层的所述第一、第二表面上,所述第二、第三聚酰亚胺层中分别含有有机硅氧化合物粒子;其中所述多层聚酰亚胺膜的整体热膨胀系数CTE介于13ppm/℃与30ppm/℃之间。
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