[发明专利]扩展动态范围的三晶体管图像传感器像素结构在审
| 申请号： | 201410725887.0 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104394338A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 郭同辉;旷章曲 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/355;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种扩展动态范围的三晶体管图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管，还包括晶体管电容器件，晶体管电容器件的栅极与光电二极管的正极相连接，其源漏极外接可控电势；弱光照射时，晶体管电容不起作用，像素的感光灵敏度高；强光照射时，晶体管电容添加到光电二极管中，像素的感光灵敏度降低。因此，本发明压缩了强光照射像素的感光灵敏度，扩展了像素的动态范围。 | ||
| 搜索关键词： | 扩展 动态 范围 晶体管 图像传感器 像素 结构 | ||
【主权项】：
一种扩展动态范围的三晶体管图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管，其特征在于，还包括晶体管电容器件，所述晶体管电容器件的栅极与所述光电二极管的正极相连，所述晶体管电容器件的源漏极相互连接在一起，并且外接可控电势。
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