[发明专利]在衬底上制备多级台阶的方法无效
| 申请号： | 201410720797.2 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104445051A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 杨健;司朝伟;韩国威;宁瑾;赵永梅;梁秀琴;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种在衬底上制备多级台阶的方法，包括：在衬底上生长掩膜层；旋涂第一层光刻胶，刻蚀在掩膜层上得到第一沟槽；在第一沟槽内的掩膜层上旋涂第二层光刻胶，刻蚀在掩膜层得到第二沟槽；依据所需的台阶级数重复上述光刻和刻蚀的步骤，在第二沟槽内的掩膜层上依次得到多个刻蚀沟槽，最后一个沟槽直接刻蚀到衬底的表面；去除最后一次刻蚀掩膜的残余光刻胶，以掩膜层上的多级台阶为掩膜，一次性将掩膜层上的图形转移到衬底上，采用湿法腐蚀的方法去除残余的掩膜层，完成衬底上的多级台阶制备。本发明是在同种衬底材料上制备多级台阶，避免了异质多级台阶中的粘附性问题和高台阶难以制备的问题，同时也大大降低了工艺流程的复杂性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 制备 多级 台阶 方法 | ||
【主权项】：
一种在衬底上制备多级台阶的方法，包括以下步骤：1)在衬底上生长掩膜层；2)旋涂第一层光刻胶，采用常规光刻工艺进行光刻，通过干法刻蚀在掩膜层上得到第一沟槽；3)去除残余的光刻胶，在第一沟槽内的掩膜层上旋涂第二层光刻胶，采用常规光刻工艺进行第二次光刻，通过干法刻蚀在掩膜层得到第二沟槽，第二沟槽嵌套在第一沟槽内；4)依据所需的台阶级数重复上述光刻和刻蚀的步骤，在第二沟槽内的掩膜层上依次得到多个刻蚀沟槽，其中每一沟槽的宽度逐级缩小，下一级沟槽嵌套在上一级沟槽之内，在掩膜层上形成多级掩膜台阶，最后一个沟槽直接刻蚀到衬底的表面；5)去除最后一次刻蚀掩膜的残余光刻胶，采用干法刻蚀技术刻蚀衬底，以掩膜层上的多级台阶为掩膜，一次性将掩膜层上的图形转移到衬底上，采用湿法腐蚀的方法去除残余的掩膜层，完成衬底上的多级台阶制备。
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