[发明专利]形成鳍式场效应晶体管的方法

摘要

本发明提供了一种形成鳍式场效应晶体管的方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底，刻蚀半导体衬底以形成若干鳍状立柱；沉积栅电极材料层将鳍状立柱和半导体衬底暴露的表面予以覆盖；制备一硬掩膜层将一预设区域中的栅电极材料层的表面进行覆盖；制备一牺牲层，将预设区域中栅电极材料层顶部平面以上的硬掩膜层予以去除，以保留该预设区域中鳍状立柱两侧的硬掩膜层；利用该预设区域中栅电极材料层两侧的硬掩膜层作为刻蚀掩膜，对该预设区域中的栅电极材料层以及鳍状立柱进行刻蚀，以将该预设区域中鳍状立柱两侧的栅电极材料层断开为两个独立的部分。本发明通过引入SiN作为硬质掩膜，使得不同组的Fin形成不同的高度，用于后续photo的自对准。

主权项

一种形成鳍式场效应晶体管的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，刻蚀所述半导体衬底以形成若干鳍状立柱；沉积栅电极材料层将所述鳍状立柱和半导体衬底暴露的表面予以覆盖；制备一硬掩膜层将一预设区域中的所述栅电极材料层的表面进行覆盖；制备一牺牲层，所述牺牲层的上表面与所述硬掩膜层的顶部平面齐平，将所述预设区域中栅电极材料层顶部平面以上的硬掩膜层予以去除，以保留该预设区域中位于鳍状立柱两侧的硬掩膜层；利用该预设区域中位于鳍状立柱两侧的硬掩膜层作为刻蚀掩膜，对该预设区域中的栅电极材料层以及鳍状立柱进行刻蚀，并暴露出所述鳍状立柱，以将该预设区域中鳍状立柱两侧的栅电极材料层断开为两个独立的部分。