[发明专利]一种表用存储介质有效
| 申请号： | 201410705962.7 | 申请日： | 2014-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN104699421B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 马小辉;赵强;魏萍;徐益民 | 申请（专利权）人： | 华立科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310023 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 表用存储介质，电气耦接表内部的CPU以存储来自其中的处理数据，所述存储介质包括非易失性存储器（NVM）和可无限次擦写存储器（MTP），所述NVM通过并行串口交换处理数据，所述MTP通过SPI接口交换处理数据，其中所述NVM被配置为存储第一数据部分，所述MTP被配置为存储第二数据部分。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种表用存储介质，电气耦接表内部的CPU以存储来自其中的处理数据，其特征在于：所述存储介质包括非易失性存储器NVM和可无限次擦写存储器MTP，所述非易失性存储器NVM通过并行串口交换处理数据，所述可无限次擦写存储器MTP通过SPI接口交换处理数据，其中所述非易失性存储器NVM被配置为存储第一数据部分，所述可无限次擦写存储器MTP被配置为存储第二数据部分；所述CPU被配置为：在一个第一时间间隔T1以外，将第一数据部分写入非易失性存储器NVM中；在此第一时间间隔T1以内，将第二数据部分写入可无限次擦写存储器MTP中；在一个第一时间间隔T1以外的第二时间间隔T2内，将存储于可无限次擦写存储器MTP中的第二数据部分进行提取，写入所述的非易失性存储器NVM中；在一个第一时间间隔T1以外的第三时间周期间隔T3内，将存储于所述的非易失性存储器NVM中的第一数据部分与第二数据部分根据预设的时钟CLK进行合并；在所述第三时间周期间隔T3以外，删除可无限次擦写存储器MTP中的第二数据部分。
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