[发明专利]用于制造多栅器件的鳍的方法和用于制造鳍的芯结构在审
| 申请号： | 201410705261.3 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104733322A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 何虹;C·曾;叶俊呈;殷允朋 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于制造多栅器件的鳍的方法和结构。根据一种方法，在半导体衬底之上的多个芯中或多个芯上形成多个侧壁，以便每个所述芯包括由第一材料构成的第一侧壁以及由不同于所述第一材料的第二材料构成的第二侧壁。选择性地去除所述多个芯中第一芯的所述第一侧壁。此外，将由所述多个侧壁中剩余的侧壁构成的图案转移到下伏层上以在所述下伏层中形成硬掩模。进一步地，通过采用所述硬掩模并且蚀刻所述衬底中的半导电材料来形成所述鳍。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 器件 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种用于制造多栅器件的鳍的方法，包括：在半导体衬底之上的多个芯中或多个芯上形成多个侧壁，以便每个所述芯包括由第一材料构成的第一侧壁以及由不同于所述第一材料的第二材料构成的第二侧壁；选择性地去除所述多个芯中第一芯的所述第一侧壁；将由所述多个侧壁中剩余的侧壁构成的图案转移到下伏层上以在所述下伏层中形成硬掩模；以及通过采用所述硬掩模并且蚀刻所述衬底中的半导电材料来形成所述鳍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
