[发明专利]一种降低钛酸铋钠基薄膜矫顽场及提高其耐压性的方法无效
| 申请号： | 201410693444.8 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104496468A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 杨长红;冯超;吴海涛;韩亚洁;钱进 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C04B35/475 | 分类号： | C04B35/475;C04B35/622 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 250022山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于电子功能材料领域，具体涉及一种降低钛酸铋钠基薄膜矫顽场及提高其耐压性的方法。该薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1-xMnxO3-δ，其中x为锰离子的摩尔掺量，0<x<0.05；δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明在锰离子掺杂的基础上，采用优化的化学溶液沉积制备工艺，在ITO/glass衬底上，制备了具有良好铁电性及介电性的钛酸铋钠基薄膜。可以用于开发具有铁电、介电特性的功能材料及器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 钛酸铋钠基 薄膜 矫顽场 提高 耐压性 方法 | ||
【主权项】：
一种降低钛酸铋钠基薄膜矫顽场及提高其耐压性的方法，采用锰离子作为掺杂离子，制备方法为优化的化学溶液沉积法，其特征是：以化学通式Na0.5Bi0.5Ti1‑xMnxO3‑δ表示，其中x为锰离子的摩尔掺量，0<x<0.05；δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。
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