[发明专利]一种激光刻槽埋栅电极太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种激光刻槽埋栅电极太阳能电池的制备方法，包括：a）硅片碱制绒；b）淡磷扩散形成N+层；c）生成热氧化钝化薄膜；d）激光开槽，得到槽孔；e）对槽孔进行刻蚀处理；f）对槽孔进行清洗；g)浓磷扩散形成N++层；h)背面蒸镀铝膜；i)背电场烧结；j)化学镀银埋栅；k)制作背电极；l)正面蒸镀双层减反射层，双层减反射层包括MgF₂层和ZnS层；m)酸刻蚀去边；n)高温烧结，形成激光刻槽埋栅电极太阳能电池。相应的，本发明还提供一种由上述制备方法制得的激光刻槽埋栅电极太阳能电池。本发明可以同时满足增加前后表面钝化效果、减少表面金属杂质污染、提高镀层与基底结合强度以及大幅降低反射率等目的。

主权项

一种激光刻槽埋栅电极太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：a）将硅片用碱性溶液制绒；b）对硅片使用三氯氧磷进行淡磷扩散，形成N+层；c）使用氧气，在反应温度750‑1000℃的条件下生成热氧化钝化薄膜；d）在硅片上使用激光开槽，得到槽孔；e）对槽孔进行刻蚀处理；f）对槽孔进行清洗，包括用SPM溶液在100‑140℃温度条件下进行第一次清洗，用DHF溶液在室温下进行第二次清洗，用APM溶液在60‑100℃温度条件下进行第三次清洗，用HPM溶液在60‑100℃温度条件下进行第四次清洗，用DHF溶液在室温下进行第五次清洗；g) 对槽孔使用三氯氧磷进行浓磷扩散，形成N++层；h) 在硅片的背面蒸镀铝膜；i) 在硅片的背面进行烧结，形成背电场；j) 在槽孔内通过化学镀银埋栅；k) 在硅片的背面制作背电极；l) 在硅片的正面蒸镀双层减反射层，所述双层减反射层包括MgF₂层和ZnS层；m) 对硅片进行酸刻蚀去边；n) 将硅片高温烧结，形成激光刻槽埋栅电极太阳能电池。