[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括提供一基板；在所述基板的一个表面的中部形成第一金属层；在形成所述第一金属层的基板的表面及所述第一金属层上形成栅极绝缘层、半导体层及第二金属层，在所述第二金属层上形成光阻层，光阻层包括第一部分及位于第一部分相对两边缘的第二部分，所述第一部分的宽度与所述第二金属层宽度相同并叠加于所述第二金属层上，所述第二部分由所述第一部分边缘延伸，进而所述第二部分使所述光阻层宽度尺寸大于所述源极和漏极之间的通道的长度尺寸；图案化所述光阻层，以露出所述第二金属层的边缘部分，图案化所述第二金属层及所述半导体层形成所述通道，以定义源极及漏极。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制造方法包括：提供一基板；在所述基板的一个表面形成第一金属层，所述第一金属层为所述薄膜晶体管的栅极；在形成所述第一金属层的基板的表面及所述第一金属层上形成栅极绝缘层、半导体层及第二金属层，所述栅极绝缘层、所述半导体层及所述第二金属层依次层叠设置；其中所述半导体层用于形成所述薄膜晶体管的源极和漏极之间导通或者断开的通道，在所述第二金属层上形成光阻层，其中，光阻层包括第一部分及位于第一部分相对两边缘的第二部分，所述第一部分的宽度与所述第二金属层宽度相同并叠加于所述第二金属层上，所述第二部分由所述第一部分宽度方向的边缘延伸，进而所述光阻层的宽度大于所述第二金属层的宽度；图案化所述光阻层，以露出所述第二金属层的边缘部分，其中图案化后的所述光阻层包括半透光区域及边缘区域；图案化所述第二金属层及所述半导体层形成所述通道，以定义源极及漏极，其中所述通道的长度长于所述第二金属层的宽度。