[发明专利]一种宽带反射式1/4波片在审
| 申请号： | 201410663285.7 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104330847A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 胡安铎;初凤红 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种宽带反射式1/4波片，包括基底(5)，在基底(5)上依次镀设氧化铝膜(4)、银膜(3)、氧化铝膜(2)和氧化硅膜(1)，氧化硅层(1)内刻蚀形成矩形槽光栅，该光栅的周期为1178～1188纳米，刻蚀深度为2517～2527纳米，占空比为0.255。与现有技术相比，本发明可以由光学全息记录技术或电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺以及镀膜技术加工而成，取材方便，造价小，具有重要的实用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 反射 | ||
【主权项】：
一种宽带反射式1/4波片，包括基底(5)，其特征在于，在基底(5)上依次镀设氧化铝膜(4)、银膜(3)、氧化铝膜(2)和氧化硅膜(1)，所述的氧化硅层(1)内刻蚀形成矩形槽光栅，该光栅的周期为1178～1188纳米，刻蚀深度为2517～2527纳米，占空比为0.255。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海电力学院，未经上海电力学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410663285.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
