[发明专利]一种制备石墨烯的工艺在审
| 申请号： | 201410660762.4 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN105585011A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李鹏 | 申请（专利权）人： | 平度市华东石墨加工厂 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266745 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备石墨烯的工艺，其技术方案是：采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)的方法，以磁控溅射镀膜系统制备的多晶钴薄膜为基底，在较低的基底温度(800℃)、较少的气体总流量(78sccm)和较短的沉积时间(40s)下成功地制备了高品质的1-5个碳原子层的石墨烯。优点：明通过RF-PECVD方法可以在反应温度相对较低、沉积时间较短、所需碳源较少的条件下制备石墨烯，大大地降低了石墨烯的制备成本，为推进石墨烯的工业应用奠定基础。由于石墨烯具有高的比表面积、高的光学透过率、高的导电率及高的柔韧性等优异的物理性能，使石墨烯在电子器件和光学器件等方面具有广泛的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 石墨 工艺 | ||
【主权项】：
一种制备石墨烯的工艺，其特征是：采用射频等离子体增强化学气相沉积的方法，以磁控溅射镀膜系统制备的多晶钴薄膜为基底，在较低的基底温度(800℃)、较少的气体总流量(78sccm)和较短的沉积时间(40s)下成功地制备了高品质的1‑5个碳原子层的石墨烯。
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