[发明专利]一种快速提高直拉硅单晶生长速度的热场结构在审
| 申请号： | 201410655714.6 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN104313682A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 王林;娄中士;王淼;刘一波;李亚哲;张雪囡;崔敏 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 韩敏 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明创造提供一种快速提高直拉硅单晶生长速度的热场结构，包括炉体、炉盖、坩埚、位于炉体内且位于坩埚外的加热装置、位于炉体内且位于加热装置外的保温装置、位于保温装置内部且位于坩埚上部的导流筒和位于导流筒内部且位于坩埚上方的单晶棒提升区域，还包括水冷套和水冷套外吸收层，所述水冷套为空心圆柱形结构，所述水冷套设置在导流筒和单晶棒提升区域之间，所述水冷套外吸收层与水冷套紧密贴合。本发明创造具有的优点是：降低导流筒的表面温度，增加导流筒对硅晶体辐射热的吸收能力，加快晶体的散热；增加水冷套外吸收层对硅晶体和导流筒辐射热量的吸收，增加硅晶体的温度梯度，加快单晶结晶潜热释放，有效的提高拉速、改善品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 提高 直拉硅单晶 生长 速度 结构 | ||
【主权项】：
一种快速提高直拉硅单晶生长速度的热场结构，包括炉体、炉盖、位于炉体内部的坩埚、位于炉体内且位于坩埚外的加热装置、位于炉体内且位于加热装置外的保温装置、位于保温装置内部且位于坩埚上部的导流筒和位于导流筒内部且位于坩埚上方的单晶棒提升区域，其特征在于：还包括水冷套和水冷套外吸收层，所述水冷套为空心圆柱形结构，所述水冷套设置在导流筒和单晶棒提升区域之间，所述水冷套外吸收层与水冷套紧密贴合。
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