[发明专利]一种可调单层电容在审
| 申请号： | 201410621730.3 | 申请日： | 2014-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN104465096A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 多新中;陈强;任春岭;张复才;沈美根 | 申请（专利权）人： | 江苏博普电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01G5/38 | 分类号： | H01G5/38 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 214131 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可调单层电容，其特征是，包括主电容、位于所述主电容周围的电容调试块和连接所述主电容与电容调试块的键合线；所述电容调试块设置有若干个电容调试块。本发明所达到的有益效果：在主电容旁设置多个电容调试块，可以方便更改单层电容的容值。当所需电容值大于主电容的值时，可以利用键合线将电容调试块与主电容连接，就可以实现增加单片电容容值的功能。极大的减少了微波器件与模块调试所需的工时，而且结构简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可调 单层 电容 | ||
【主权项】：
一种可调单层电容，其特征是，包括主电容、位于所述主电容周围的电容调试块和连接所述主电容与电容调试块的键合线；所述电容调试块设置有若干个电容调试块。
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