[发明专利]一种晶体硅太阳能电池制造工艺有效
| 申请号： | 201410619075.8 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN104362219A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘兴翀;章金生;蔡蔚;龙巍;林洪峰 | 申请（专利权）人： | 天威新能源控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 刘哲源 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池制造工艺，所述工艺包括：半成品硅片制作；将制作好的所述半成品硅片进行去除损伤层；将去除损伤层后的电池片进行表面绒面化；将表面绒面化后的电池片进行发射区扩散处理；将发射区扩散处理后的电池片进行边缘结刻蚀处理；将边缘结刻蚀处理后的电池片进行PECDV沉积SIN处理；将PECDV沉积SIN处理后的电池片进行丝网印刷正背面电极浆料处理；将印刷正背面电极浆料后的电池片进行共烧形成金属接触；将形成金属接触后的电池片进行测试，实现了能够减少硅片表面掺杂浓度，降低扩散后死层厚度，提高少子寿命，同时可以减小PN结的结深，增强太阳能电池的短波响应，提高太阳能电池的转换效率的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述工艺包括：半成品硅片制作；将制作好的所述半成品硅片进行去除损伤层；将去除损伤层后的电池片进行表面绒面化；将表面绒面化后的电池片进行发射区扩散处理；将发射区扩散处理后的电池片进行边缘结刻蚀处理；将边缘结刻蚀处理后的电池片进行PECDV沉积SIN处理；将PECDV沉积SIN处理后的电池片进行丝网印刷正背面电极浆料处理；将印刷正背面电极浆料后的电池片进行共烧形成金属接触；将形成金属接触后的电池片进行测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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