[发明专利]蚀刻液管理装置及方法、以及蚀刻液的成分浓度测定方法有效
申请号: | 201410601727.5 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN105304462B | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 中川俊元;白井浩之 | 申请(专利权)人: | 株式会社平间理化研究所 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘婷 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种将草酸系蚀刻液的作为蚀刻液的性能维持/管理成大致固定并抑制固体粒子的析出的蚀刻液管理装置及方法、以及蚀刻液的成分浓度测定方法。该蚀刻液管理装置具备:电导率计(17),其对蚀刻液的电导率值进行测定;密度计(18),其对蚀刻液的密度值进行测定;补充液输送控制机构,其基于蚀刻液的草酸浓度与电导率值之间的相关关系和电导率计(17)的测定结果、以及蚀刻液的溶解金属浓度与密度值之间的相关关系和密度计(18)的测定结果,来控制向蚀刻液补给的补充液的输送。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 管理 装置 方法 以及 成分 浓度 测定 | ||
【主权项】:
1.一种蚀刻液管理装置,其对含有草酸且在含有铟、镓和锌的至少一种的被蚀刻膜的蚀刻中所使用的蚀刻液进行管理,所述蚀刻液管理装置的特征在于,具备:电导率计,其对所述蚀刻液的电导率值进行测定;密度计,其对所述蚀刻液的密度值进行测定;补充液输送控制机构,其以如下方式控制向所述蚀刻液补给的补充液的输送:基于所述蚀刻液的草酸浓度与电导率值之间的相关关系以及所述电导率计的测定结果,使所述草酸浓度处于在所述蚀刻液的铟浓度、镓浓度和锌浓度中的任一种浓度与密度值之间存在相关关系的浓度范围内,并且基于所述蚀刻液的铟浓度、镓浓度和锌浓度中的任一种浓度与密度值之间的相关关系以及所述密度计的测定结果,使所述铟浓度、所述镓浓度和所述锌浓度中的至少一种浓度成为所管理的浓度的阈值以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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