[发明专利]相变温度和矫顽力都可调的磁存储介质薄膜及其制作方法在审
| 申请号： | 201410598581.3 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104318932A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 李国庆;谭兴文;林跃强 | 申请（专利权）人： | 西南大学 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851;C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400715*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 一种反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜即制备方法，采用MgO(001)作为基板，通过溅射靶控制Fe和Pt的生长速率，将FePt层的Fe原子Pt原子的比例严格控制在1:1。制备方法还通过真空热处理使FePt薄膜发生不同程度的A1→L10转变，连续保温24h使FeRh层转变为有序的B2相，最终获得反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜，用于制作热辅助复合磁存储介质，能够有效降低写入磁场，并提高数据保存时的稳定性。本发明的制备方法简单、制备材料性能好，极适合于反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 温度 矫顽力 可调 存储 介质 薄膜 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种反铁磁‑铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜，包括MgO(001)基片及其上的FePt/FeRh双层复合薄膜，其特征在于：所述双层复合薄膜的FePt膜是通过溅射靶控制Fe和Pt的生长速率，将FePt层的Fe原子Pt原子的比例控制在1:1；在MgO(001)基片上生长25 nm厚的FePt而获得，FeRh薄膜厚50 nm。
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