[发明专利]掩模板及其制造方法、利用掩模板构图的方法有效
申请号: | 201410589976.7 | 申请日: | 2014-10-28 |
公开(公告)号: | CN104280997B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 史大为;刘红亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/22 | 分类号: | G03F1/22 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 林桐苒;李丹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种掩模板及其制造方法、利用掩模板构图的方法。该掩模板包括:相对设置的第一基板和第二基板;位于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层;形成于所述第一基板上的透明导电层,所述透明导电层与所述液晶层位于所述第一基板的同一侧;以不透明导电材料形成于所述第二基板上的掩模图案;与所述透明导电层及所述掩模图案相连的供压电路,用于向所述掩模图案与所述透明导电层之间提供预设的电压。本发明通过对液晶盒的下电极构图以形成掩模图案,利用液晶在电场中偏转的性质实现了掩模板不同区域内的透光率补偿,解决了不同线密度区域曝光剂量差别过大、曝光显影后尺寸无法控制的问题。 | ||
搜索关键词: | 模板 及其 制造 方法 利用 构图 | ||
【主权项】:
1.一种掩模板,相对设置的第一基板和第二基板;位于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层;其特征在于,包括:形成于所述第一基板上的透明导电层,所述透明导电层与所述液晶层位于所述第一基板的同一侧;以不透明导电材料形成于所述第二基板上的掩模图案;与所述透明导电层及所述掩模图案相连的供压电路,用于向所述掩模图案与所述透明导电层之间提供预设的电压。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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