[发明专利]一种NAND FLASH坏块管理方法

摘要

本发明提供一种NAND FLASH坏块管理方法，解决常见NAND FALSH坏块管理算法中速度与容量无法均衡的问题。该本发明在一个操作周期即可得到逻辑块地址对应的物理块地址。本发明可以在采用较少存储空间的情况下，实现坏块的管理工作。同时速度与全容量映射方法一样，在一个操作周期即可得到逻辑块地址对应的物理块地址。有效解决了常见的坏块管理方法中速度与面积的矛盾。将该方法应用在存储器的电子设计中，降低了对硬件的要求，如计算映射关系的RAM、存储映射表的FLASH等，在不降低产品性能的情况下，显著降低产品的板面积和成本。本发明明显缩小芯片集成电路规模和芯片面积。

主权项

一种NAND FLASH坏块管理方法，首先建立坏块标记表和映射表，将NAND FLASH的物理存储区域分为数据区和冗余区，其中数据区作为数据的正常记录区域，冗余区作为数据区中坏块的备份，并定义逻辑区与数据区地址相同且大小一致；首先，按照数据区地址顺序遍历NAND FLASH坏块标记，按照遍历顺序建立一个坏块标记表，使用1表示对应块为坏块，0表示对应块为好块；当某块为坏块时，在冗余区寻找一个好块建立映射关系，形成映射表，映射表中未使用的地址写入全F将该映射关系保存；其特征在于，当需要操作某个逻辑区块的地址时，按照以下步骤实现其对应的物理块地址：步骤1：查询坏块标记，若坏块标记为0，说明与该逻辑块地址值相同的数据区块为好块，可直接操作；若坏块标记为1，转步骤2；步骤2：将逻辑区块地址对应的坏块标记表中地址之前的1相加，记为sum，转步骤3；步骤3：将sum作为映射表的地址，输出映射表地址sum位置存储的数据，即为对应的冗余区的物理块地址。