[发明专利]一种NAND FLASH坏块管理方法

权利要求书

1.一种NAND FLASH坏块管理方法，首先建立坏块标记表和映射表，将NAND FLASH的物理存储区域分为数据区和冗余区，其中数据区作为数据的正常记录区域，冗余区作为数据区中坏块的备份，并定义逻辑区与数据区地址相同且大小一致；首先，按照数据区地址顺序遍历NAND FLASH坏块标记，按照遍历顺序建立一个坏块标记表，使用1表示对应块为坏块，0表示对应块为好块；当某块为坏块时，在冗余区寻找一个好块建立映射关系，形成映射表，映射表中未使用的地址写入全F将该映射关系保存；其特征在于，当需要操作某个逻辑区块的地址时，按照以下步骤实现其对应的物理块地址：

步骤1：查询坏块标记，若坏块标记为0，说明与该逻辑块地址值相同的数据区块为好块，可直接操作；若坏块标记为1，转步骤2；

步骤2：将逻辑区块地址对应的坏块标记表中地址之前的1相加，记为sum，转步骤3；

步骤3：将sum作为映射表的地址，输出映射表地址sum位置存储的数据，即为对应的冗余区的物理块地址。

2.根据权利要求1所述的一种NAND FLASH坏块管理方法，其特征在于，步骤2采用二进制全加器实现。

3.根据权利要求2所述的一种NAND FLASH坏块管理方法，其特征在于，步骤2具体采用硬件电路或FPGA实现。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的一种NAND FLASH坏块管理方法，其特征在于，如果对某个逻辑区块的地址进行操作时发现新的坏块，则需要更新坏块标记表和映射表，按照以下步骤实现：

步骤4：将当前块的坏块标记更新为1，转步骤5；

步骤5：在冗余区寻找未使用的好块进行映射，转步骤6；

步骤6：将sum开始的内容依次后移，将映射关系填入sum位置即可建立新的映射表。