[发明专利]铜钨碳化钨真空触头材料在审
| 申请号： | 201410582116.0 | 申请日： | 2014-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106064237A | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李超 | 申请（专利权）人： | 西安立伟电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;C22C30/06;C22C29/02;H01H1/025 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了铜钨碳化钨真空触头材料，包括碳化钨粉50～60份、纳米氧化锡21～31份、粘结剂5～16份、碳化钽6～16份、铝硅金属间化合物5～9份、锌6～11份、钴4～10份、钨粉4～11份、金属陶瓷2～11份、氧化镧2～9份、铌粉1～6份、铜钨合金粉1～9份、镍1～9份。本发明的铜钨碳化钨真空触头材料，通过添加元素和导电陶瓷，大大改善了材料的抗氧化性能，同时，综合提高了材料的耐电弧烧损能力、抗熔焊性和耐电磨损性能，制得的触头产品具体良好的抗氧化性能、超高且持久的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化 真空 材料 | ||
【主权项】：
铜钨碳化钨真空触头材料，其特征在于，包括碳化钨粉50～60份、纳米氧化锡21～31份、粘结剂5～16份、碳化钽6～16份、铝硅金属间化合物5～9份、锌6～11份、钴4～10份、钨粉4～11份、金属陶瓷2～11份、氧化镧2～9份、铌粉1～6份、铜钨合金粉1～9份、镍1～9份。
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