[发明专利]带偏置电源的功率半导体器件的检测电路有效
申请号: | 201410581626.6 | 申请日: | 2014-10-27 |
公开(公告)号: | CN104280676A | 公开(公告)日: | 2015-01-14 |
发明(设计)人: | 潘烨;白玉明;张海涛 | 申请(专利权)人: | 无锡同方微电子有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种带偏置电源的功率半导体器件的检测电路,所述检测电路包括:齐纳二极管、三极管、包括发光器及受光器的光耦合器、电压检测器、及若干电阻,其中:所述齐纳二极管的阳极通过第一电阻与所述三极管的集电极相连,作为检测电路的正检测端,阴极通过第二电阻与所述三极管的基极相连,并通过第三电阻与所述发光器的第一端相连,作为检测电路的负检测端;所述三极管的发射极与所述发光器的第二端相连;所述电压检测器通过第四电阻连接于所述受光器的两端。本发明的检测电路具有较高的灵敏度和准确性,检测相应速度高,可以在很短的时间内将功率半导体器件的工作状态检测出来。 | ||
搜索关键词: | 偏置 电源 功率 半导体器件 检测 电路 | ||
【主权项】:
一种带偏置电源的功率半导体器件的检测电路,其特征在于:所述检测电路包括:齐纳二极管、三极管、包括发光器及受光器的光耦合器、电压检测器、及若干电阻,其中:所述齐纳二极管的阳极通过第一电阻与所述三极管的集电极相连,作为检测电路的第一检测端,阴极通过第二电阻与所述三极管的基极相连,并通过第三电阻与所述发光器的第一端相连,作为检测电路的第二检测端;所述三极管的发射极与所述发光器的第二端相连;所述电压检测器通过第四电阻连接于所述受光器的两端。
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