[发明专利]带偏置电源的功率半导体器件的检测电路

权利要求书

1.一种带偏置电源的功率半导体器件的检测电路，其特征在于：

所述检测电路包括：齐纳二极管、三极管、包括发光器及受光器的光耦合器、电压检测器、及若干电阻，其中：

所述齐纳二极管的阳极通过第一电阻与所述三极管的集电极相连，作为检测电路的第一检测端，阴极通过第二电阻与所述三极管的基极相连，并通过第三电阻与所述发光器的第一端相连，作为检测电路的第二检测端；所述三极管的发射极与所述发光器的第二端相连；所述电压检测器通过第四电阻连接于所述受光器的两端。

2.根据权利要求1所述的带偏置电源的功率半导体器件的检测电路，其特征在于：所述功率半导体器件包括门极及阴极，所述门极及阴极间形成有PN结。

3.根据权利要求2所述的带偏置电源的功率半导体器件的检测电路，其特征在于：所述偏置电源的正端连接于所述功率半导体器件的阴极，负端通过开关连接于所述功率半导体器件的门极。

4.根据权利要求3所述的带偏置电源的功率半导体器件的检测电路，其特征在于：所述开关为MOS管。

5.根据权利要求3所述的带偏置电源的功率半导体器件的检测电路，其特征在于：所述检测电路的第一检测端连接于所述偏置电源的正端，第二检测端连接于所述偏置电源的负端。

6.根据权利要求1所述的带偏置电源的功率半导体器件的检测电路，其特征在于：所述功率半导体器件包括晶闸管及绝缘栅双极型晶体管IGBT。

7.根据权利要求6所述的带偏置电源的功率半导体器件的检测电路，其特征在于：所述晶闸管包括门极可关断晶闸管GTO、及集成门极换流晶闸管IGCT。

8.根据权利要求1所述的带偏置电源的功率半导体器件的检测电路，其特征在于：所述偏置电源的工作电压为15V。

9.根据权利要求1所述的带偏置电源的功率半导体器件的检测电路，其特征在于：所述第一电阻、第三电阻、以及第四电阻的阻值范围为500～1500Ω，所述第二电阻的阻值范围为50～150Ω。