[发明专利]高功率密度的绕组结构、方法及具有轴向磁场的电机

摘要

本发明公开了一种高功率密度的绕组结构、方法及应用其的电机，本发明的绕组为多层2D结构，绕组采用180°电角度的分布式结构；通过印刷电路板的形式制作而成；每一层上仅设有一相绕组，每相绕组由偶数绕组层所组成；每一层上的绕组，由与电机磁极数相同的绕组周期所组成；同一相的绕组层间通过连接孔连接；连接孔位于该绕组环内的上部的角落处。使用时，1)可充分利用PCB技术实现具有轴向磁场的绕组。不需埋孔，只用穿孔就可实现绕组连接；2)可提高绕组对转子磁钢产生的磁场的利用率。2)绕组是由PCB的方式实现，因而2D的绕组的形状可以是任意的，绕组的尺寸可以控制得很准确。通过对每相绕组的特别安排，绕组的对称性较好。

主权项

1.一种高功率密度的绕组结构，其特征在于：绕组为多层2D结构，所述的绕组采用180°电角度的分布式结构；每一层上仅设有一相绕组，每相绕组由偶数绕组层所组成；每一层上的绕组，由与电机磁极数相同的绕组周期所组成；同一相的绕组层间通过连接孔连接；所述的连接孔位于该绕组环内的上部的角落处；其设有A相绕组、B相绕组及C相绕组；A相绕组位于第一层绕组是所有绕组层里最靠近转子磁钢的，从所述第一层绕组开始到最后一层绕组与转子磁钢逐步增加距离，最后一层绕组是所有的绕组层里离转子磁钢最远的，所述的B相绕组和A相绕组在切向空间上相差120°电角度，所述的C相绕组和A相绕组在切向空间上相差240°电角度，所述的A相绕组、B相绕组及C相绕组成形为空间对称的三相绕组；所述的A相绕组、B相绕组及C相绕组，各由两层绕组组成；所述的A相绕组位于第一层绕组及第六层绕组；所述的B相绕组位于第二层绕组及第五层绕组；所述的C相绕组位于第三层绕组及第四层绕组。