[发明专利]由层堆的第一和第二区段形成的第一和第二磁阻传感器有效
| 申请号： | 201410555604.2 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104567950B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | J·齐默;H·威特施尼格 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/18 | 分类号： | G01D5/18 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例涉及一种包括层堆(600)的传感器装置，层堆(600)包括形成在共同基板(620)上的至少铁磁层和非磁层。传感器装置(600)还包括由层堆(600)的第一区段(611)提供的至少第一磁阻传感器元件(711)。第一磁阻传感器元件(711)这里被配置成生成第一信号。传感器装置(600)还包括由层堆(600)的第二区段(612)提供的第二磁阻传感器元件(712)。第二磁阻传感器元件(712)这里被配置成生成用于验证第一信号的第二信号。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种传感器装置，包括：层堆，包括形成在共同基板上的至少铁磁层和非磁层；至少第一磁阻传感器元件，其由所述层堆的第一区段提供，其中所述第一磁阻传感器元件被配置成生成第一信号；第二磁阻传感器元件，其由所述层堆的第二区段提供，其中所述第二磁阻传感器元件被配置成生成用于验证所述第一信号的第二信号；以及验证电路，被配置成将所述第一信号与所述第二信号进行比较。
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