[发明专利]电化学制作微/纳电子结构中的至少一个多孔区域的工艺在审
| 申请号： | 201410550919.8 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN104555897A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·奥里尔;弗里德里克-格扎维埃·盖拉德;卡琳·马库克斯 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 归莹;张颖玲 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种用于制作至少一个多孔区域(ZP)的工艺，所述至少一个多孔区域(ZP)在导电的有源层(6)的至少一部分中，有源层(6)形成堆叠的正面，堆叠层包括导电材料的背面(2)以及介于有源层(6)与背面(2)之间的绝缘层(4)，所述工艺包括以下步骤：a)在背面(2)与有源层(6)之间制作穿过绝缘层(2)的至少一个接触垫(14)；b)将堆叠放置在电化学槽中；c)在背面(2)与有源层(6)之间施加一个通过接触垫(14)的电流，以引起接触垫(14)附近的有有源层(6)的区域(ZP)的多孔化；d)形成微电子结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学 制作 电子 结构 中的 至少 一个 多孔 区域 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于制作至少一个多孔区域(ZP、ZPL)的工艺，所述至少一个多孔区域(ZP、ZPL)在微电子结构和/或纳电子结构的导电或半导电材料的有源层(6)的至少一部分中，所述有源层(6)形成堆叠的正面，所述堆叠包括导电或半导电材料的背面(2)以及介于所述有源层(6)与所述背面(2)之间的电绝缘层(4)，所述工艺包括以下步骤：a)通过形成至少一个穿过所述绝缘层(4)的导电或半导电材料的接触块(14、114)来在所述背面(2)与所述有源层(6)之间制作至少一个电接触；b)将所述堆叠放置在电化学槽中；c)在所述背面(2)与所述有源层(6)之间施加通过所述接触块(14、114)的电流，以引起所述有源层(6)的至少一个区域(ZP、ZPL)的多孔化。
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