[发明专利]一种LED外延片加工工艺在审
| 申请号： | 201410550913.0 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105576094A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 华源兴 | 申请（专利权）人： | 江苏凯旋涂装自动化工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 徐鹏飞 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种LED外延片加工工艺，其包括如下步骤：固定：将单晶硅棒固定在加工台上；切片：将单晶硅棒切成薄硅片；退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至400-550℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层；倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形；分档检测；研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层；清洗：通过有机溶剂，并结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质；RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。本发明不仅工序简单，对设备要求低，而且生产出的LED外延片残次率较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 加工 工艺 | ||
【主权项】：
一种LED外延片加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：S101、固定：将单晶硅棒固定在加工台上；S102、切片：将单晶硅棒切成薄硅片；S103、退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至400‑550℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层；S104、倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形；S105、分档检测；S106、研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层；S107、清洗：通过有机溶剂，并结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质；S108、RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏凯旋涂装自动化工程有限公司，未经江苏凯旋涂装自动化工程有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410550913.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法
- 下一篇：N型IBC电池结构及其制备方法
