[发明专利]斜孔刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410538323.6 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105565257B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 谢秋实;李成强 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种斜孔刻蚀方法，其包括以下步骤向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在硅片的待刻蚀表面上刻蚀斜孔；其中，刻蚀气体包括SF6和O2；SF6与O2的气流量比例、工艺压强、激励功率和偏压功率的设置方式为通过增大SF6与O2的气流量比例，以及提高工艺压强、激励功率和偏压功率，而获得理想的斜孔刻蚀形貌。本发明提供的斜孔刻蚀方法，其不仅可以获得理想的斜孔刻蚀形貌，即倾斜角度在80～88°的范围内、侧壁平滑且无线宽损失，而且还可以提高刻蚀速率，从而既满足了TSV工艺的要求，又提高了工艺效率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种斜孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在硅片的待刻蚀表面上刻蚀斜孔；其中，所述刻蚀气体包括SF6和O2；所述SF6与O2的气流量比例、工艺压强、激励功率和偏压功率的设置方式为：所述工艺压强的取值范围在250～300mT；所述SF6与O2的气流量比例的取值范围在3:1～5:1；所述激励功率的取值范围在2000～2500W，所述偏压功率的取值范围在150～250W。
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