[发明专利]智能卡仿真器有效
申请号: | 201410528007.0 | 申请日: | 2014-10-09 |
公开(公告)号: | CN105487969B | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 许国泰 | 申请(专利权)人: | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
主分类号: | G06F11/36 | 分类号: | G06F11/36;G06K7/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种智能卡仿真器,包括仿真芯片,管理模块,SRAM存储器,电源模块;所述仿真芯片通过标准数据/地址总线对SRAM存储器进行读写操作;在发生冷复位时,所述管理模块通过控制信号控制仿真芯片进入或退出复位状态,通过控制信号控制电源模块停止或恢复向SRAM存储器供电;SRAM存储器等效模拟芯片内的XRAM。本发明能够等效实现冷复位,保证智能卡仿真器整体功能、性能与实际芯片一致。 | ||
搜索关键词: | 智能卡 仿真器 | ||
【主权项】:
1.一种智能卡仿真器,包括:仿真芯片,管理模块,SRAM存储器,电源模块,所述仿真芯片通过标准数据/地址总线对SRAM存储器进行读写操作;其特征在于:所述SRAM存储器等效模拟芯片内的XRAM,所述仿真芯片模拟芯片内处理器操作XRAM的功能;在发生冷复位时,在读卡机切断接触式供电或关闭非接触式载波后,管理模块通过控制信号控制仿真芯片进入复位状态,通过控制信号控制电源模块停止向SRAM存储器供电;读卡机恢复接触式供电或打开非接触式载波后,管理模块通过控制信号控制仿真芯片退出复位状态,通过控制信号控制电源模块恢复向SRAM存储器供电。
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