[发明专利]绝缘栅极双极性晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410527310.9 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105374864B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 陈柏安;伊牧;陈鲁夫 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明一实施例提供一种绝缘栅极双极性晶体管及其制造方法，该绝缘栅极双极性晶体管包括：集极电极；集极层；第一导电型漂移层，设于集极层上；第一射极层；沟槽，自第一射极层的表面延伸入第一导电型漂移层中，其中沟槽具有相对的第一侧及第二侧；栅极电极，填入沟槽中且延伸于第一射极层的表面上，其中在第一侧及第二侧的栅极电极于第一射极层的表面上的延伸距离不同；栅极介电层；第二射极区；层间介电层；及射极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅极 极性 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅极双极性晶体管，其特征在于，包括：一集极电极；一集极层，电连接该集极电极，且具有一第二导电型；一第一导电型漂移层，设于该集极层上，其中该第一导电型与该第二导电型不同；一第一射极层，设于该第一导电型漂移层上，且具有该第二导电型；一沟槽，自该第一射极层的表面延伸入该第一导电型漂移层中，其中该沟槽具有相对的一第一侧及一第二侧；一栅极电极，填入该沟槽中且延伸于该第一射极层的表面上，其中在该第一侧及该第二侧的该栅极电极于该第一射极层的表面上的延伸距离不同；一栅极介电层，设于该栅极电极与该沟槽之间、以及该栅极电极与该第一射极层之间；一第二射极区，设于该栅极电极两侧的该第一射极层中，其中该第二射极区具有该第一导电型，其中该栅极电极位于该第一射极层的表面的宽度大于沟槽的宽度与该第二射极区扩散至该栅极电极下方的宽度的总和；一层间介电层，设于该第一射极层上；及一射极电极，与该第一射极层及该第二射极区电连接，其中该层间介电层设于该栅极电极与该射极电极之间。
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