[发明专利]一种N型双面电池的湿法刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410525546.9 | 申请日： | 2014-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN105576074A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 郑飞;张忠卫;石磊;阮忠立;赵晨;赵钰雪 | 申请（专利权）人： | 上海神舟新能源发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 201112 上海市闵行*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种N型双面电池的湿法刻蚀方法，(1)N型硅片经表面织构化，硼扩散制备PN结后，经过混酸刻蚀边缘及背面，然后进行第一次纯水洗、碱洗、第二次纯水洗、混酸洗，第三次纯水洗，风干；(2)在硅片正面覆盖水膜，然后经过混酸处理，再经过第四次纯水洗、碱洗、第五次纯水洗、混酸洗、第六次纯水洗、风干后，完成对N型双面电池的刻蚀。与现有技术相比，本发明可以完全解决N型双面电池边缘PN结去除不彻底的问题，且可以明显改善背面抛光钝化的效果，进而提升N型双面电池的光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 电池 湿法 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种N型双面电池的湿法刻蚀方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：(1)N型硅片经表面织构化，硼扩散制备PN结后，经过混酸刻蚀边缘及背面，然后进行第一次纯水洗、碱洗、第二次纯水洗、混酸洗，第三次纯水洗，风干；(2)在硅片正面覆盖水膜，然后经过混酸处理，再经过第四次纯水洗、碱洗、第五次纯水洗、混酸洗、第六次纯水洗、风干后，完成对N型双面电池的刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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