[发明专利]一种用于红外面阵型探测器的读出电路

摘要

本发明是一种与标准CMOS工艺兼容的红外面阵型探测器读出电路，其特征是红外面阵型探测器读出电路包括高性能电容反馈跨阻放大器，并带有相关双采样功能，可以通过调整信号来转换工作模式，实现在不同工作环境下对电路性能的最优化应用；其优越性在于该红外面阵型探测器读出电路具有光生电流的注入效率高，能够提供稳定的偏置电压以及输出信号的线性度好等优点，而且明显降低红外面阵型探测器读出电路输出功耗，能够有效的消除直流失调和抑制低频噪声成分。

主权项

一种用于红外面阵型探测器的读出电路，包括一个增益可调差分放大器，一个可调电容模块，一个采样电路模块，四个开关，其中输入信号Iint连接开关EN一端，EN另一端共同连接至放大器的差分输入端负极、电容模块输入端及开关RST一端，开关RST的另一端连接到采样电路模块的输入端，电容模块的输出同时连接开关的INT与开关RS的一端，开关INT的另一端也连接到采样电路模块的输入端，开关RS的另一端连接到放大器的差分输入端正极及输入信号VBUS，输入信号ADJ连接到放大器的内部，采样电路模块的输出连接到输出信号VOUT，差分放大器的输出作为采样电路的输入信号，增益可调的差分放大器，其结构包括两个PMOS管与五个NMOS管，其中两个PMOS管M1和M2的源极分别连接到VCC，其栅极互相连接，M1的漏极连接到NMOS管M3的漏极，M3的栅极连接输入信号VBUS，源极连接到NMOS管M5的漏极和栅极，M5的源极连接到GND，M2的漏极连接NMOS管M4的漏极，并连接到输出端VOUT1，M4的栅极连接输入信号VIN_amp，源极连接NMOS管M6的漏极，M6的栅极连接到M5的漏极和栅极以及M3的源极，M6的源极连接到NMOS管M7的漏极，M7的栅极连接输入信号ADJ，M7的源极连接到GND。