[发明专利]一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构有效
| 申请号： | 201410520059.3 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104267503A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 姚丹阳;张锦川;周予虹;贾志伟;闫方亮;王利军;刘俊岐;刘峰奇;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B27/09 | 分类号： | G02B27/09 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构，其包括：衬底，其上制作有双沟道脊型波导结构，脊型区中设有激光器有源区；光栅层，制作在衬底上表面；电隔离层，制作在光栅层上表面，在光栅层与脊型区对应的上表面处断开形成电注入窗口；双沟填充物，填充在双沟道中；下欧姆接触层，制作在衬底的下表面；亚波长金属等离子体天线，制作在所述电隔离层和双沟填充物的上表面，在脊型区对应的上表面处断开，在形成电注入欧姆接触区域的同时形成光输出窗口。本发明有效的降低面发射激光器慢轴方向的远场发散角，实现小发散角准圆斑甚至圆斑面发射器件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 发射 半导体激光器 慢轴远场 金属 天线 结构 | ||
【主权项】：
一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构，其特征在于，该天线包括：衬底、光栅层、电隔离层、双沟填充物、下欧姆接触层和亚波长金属等离子体天线，其中： 所述衬底上制作有双沟道脊型波导结构，且所述双沟道脊型波导结构的脊型区中设有激光器有源区； 所述光栅层制作在所述衬底的上表面； 所述电隔离层制作在所述光栅层的上表面，且在所述光栅层与所述脊型区对应的上表面处断开，断开的部分形成电注入窗口； 所述双沟填充物填充在所述双沟道脊型波导结构的双沟道中； 所述下欧姆接触层制作在所述衬底的下表面； 所述亚波长金属等离子体天线制作在所述电隔离层和双沟填充物的上表面，且在所述脊型区对应的上表面处断开，断开的宽度小于所述电注入窗口的宽度，断开区域在形成电注入欧姆接触区域的同时形成光输出窗口。
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