[发明专利]ITO的完整蚀刻方法及LED芯片制作方法

摘要

公开了一种 ITO的完整蚀刻方法，包括步骤对蒸镀在形成台阶的P‑GaN层和N‑GaN层表面的ITO层进行第一次蚀刻，从而将没有光刻胶覆盖的N‑GaN层正表面的ITO层去除，并同时在P‑GaN层和N‑GaN层之间的过渡区域蚀刻表面形成生成物；使用TMAH溶液对一次蚀刻中形成在P‑GaN层和N‑GaN层之间的过渡区域蚀刻表面的生成物去除；对经过一次TMAH后的P‑GaN层和N‑GaN层表面的ITO层进行第二次蚀刻，从而将残留在P‑GaN层和N‑GaN层之间的过渡区域蚀刻表面的ITO层去除，并在P‑GaN层和N‑GaN层之间的过渡区域蚀刻表面形成生成物；以及使用TMAH溶液对二次蚀刻中形成在P‑GaN层和N‑GaN层之间的过渡区域蚀刻表面的生成物去除。

主权项

一种ITO的完整蚀刻方法，其特征在于，包括步骤：一次蚀刻；对蒸镀在形成台阶的P‑GaN层和N‑GaN层表面的ITO层进行第一次蚀刻，通过ITO蚀刻液对ITO层进行蚀刻，从而将没有光刻胶覆盖的N‑GaN层正表面的ITO层去除，并同时在P‑GaN层和N‑GaN层之间的过渡区域蚀刻表面形成生成物，所述生成物为由ITO蚀刻液与光刻胶、ITO作用产生的各式生成物，具体包括步骤：将待ITO蚀刻产品整个放入温度控制在43摄氏度的ITO蚀刻液中，并等待3分钟；其中，所述待ITO蚀刻产品为形成在一基底上、经前期蚀刻形成台阶的P‑GaN层和N‑GaN层表面并在所述P‑GaN层和N‑GaN层表面蒸镀ITO层的外延片，且所述P‑GaN层蒸镀ITO层的正表面覆盖有光刻胶；将所述待ITO蚀刻产品从所述ITO蚀刻液中取出，放入纯水槽中清洗以去除ITO蚀刻液，然后使用N2吹干；一次TMAH；使用TMAH溶液对所述一次蚀刻中形成在所述P‑GaN层和N‑GaN层之间的过渡区域蚀刻表面的生成物去除；二次蚀刻；对经过所述一次TMAH后的P‑GaN层和N‑GaN层表面的ITO层进行第二次蚀刻，通过ITO蚀刻液对ITO层进行蚀刻，从而进一步将残留在所述P‑GaN层和N‑GaN层之间的过渡区域蚀刻表面的ITO层去除，并同时在所述P‑GaN层和N‑GaN层之间的过渡区域蚀刻表面再次形成生成物，所述生成物为由ITO蚀刻液与光刻胶、ITO作用产生的各式生成物；二次TMAH；使用TMAH溶液对所述二次蚀刻中形成在所述P‑GaN层和N‑GaN层之间的过渡区域蚀刻表面的生成物去除。