[发明专利]一种微机电系统运动传感器的制备方法在审
| 申请号： | 201410508390.3 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105523520A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 余晖俊;沈文江;李鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及微机电系统技术领域，尤其是指一种微机电系统运动传感器的制备方法，包括释放工艺，所述释放工艺的具体步骤包括：在形成有顶金属电极的硅片上进行光刻工序，用于获得与梳齿电极和质量块对应的光刻图形；再利用深硅刻蚀工序将所述光刻图形转移至所述硅片上，最后去除具有所述光刻图形的光刻胶。本发明可有效解决微机电活动结构释放工艺中的黏附问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微机 系统 运动 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微机电系统运动传感器的制备方法，包括释放工艺，其特征在于，所述释放工艺的具体步骤包括：在形成有顶金属电极的硅片上进行光刻工序，用于获得与梳齿电极和质量块对应的光刻图形；再利用深硅刻蚀工序将所述光刻图形转移至所述硅片上，最后去除具有所述光刻图形的光刻胶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410508390.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
