[发明专利]用以修整三维与非门闪存的控制晶体管的系统与方法

摘要

本发明公开了一种用以修整三维与非门闪存的控制晶体管的系统与方法，三维与非门闪存阵列(3D NAND Flash memory array)中的控制晶体管与存储单元二者皆可使用相同的技术来形成(例如是电荷捕捉结构)，以简化制造过程。然而，当与传统的栅极‑氧化物基的控制晶体管相比时，所得的控制晶体管在阈值电压(threshold voltage)中可能具有较高的变化性。本发明提供示范性的技术，以修整控制晶体管，在阵列操作期间提供增加的可靠度与效能。

主权项

1.一种用于控制一存储器阵列的系统，包括一第一存储单元串行及一第二存储单元串行，该系统包括：一控制晶体管群组，用于控制该第一存储单元串行及该第二存储单元串行，该控制晶体管群组包括：一第一串行选择晶体管、一第一上接地选择晶体管、与一第一接地选择晶体管，各个该第一串行选择晶体管、该第一上接地选择晶体管、与该第一接地选择晶体管是可操作地连接于该第一存储单元串行；以及一第二串行选择晶体管、一第二上接地选择晶体管、与一第二接地选择晶体管，各个该第二串行选择晶体管、该第二上接地选择晶体管、与该第二接地选择晶体管是可操作地连接于该第二存储单元串行，其中该第一串行选择晶体管是可操作，以将该第一存储单元串行连接至一位线；且其中该第二串行选择晶体管是可操作，以将该第二存储单元串行连接至该位线；以及一控制器，该控制器是可操作，以修整该第一串行选择晶体管与该第二串行选择晶体管、该第一上接地选择晶体管与该第二上接地选择晶体管、及该第一接地选择晶体管与该第二接地选择晶体管，该控制晶体管群组中的多个控制晶体管是受到修整，从而改变这些控制晶体管的阈值电压，其中该控制器更可操作，以在该第一上接地选择晶体管受到修整的一期间抑制该第二上接地选择晶体管的编程；其中该控制器更可操作，以在该第一串行选择晶体管受到修整的一期间，抑制一第三串行选择晶体管的编程，该第三串行选择晶体管与该第一串行选择晶体管共享一页；其中该控制器更可操作，以使用一开放回路编程技术，同时地修整该第一接地选择晶体管与该第二接地选择晶体管。