[发明专利]一种测量乳腺钼靶X射线多参数的传感器阵列及其测量方法有效
申请号: | 201410498587.3 | 申请日: | 2014-09-25 |
公开(公告)号: | CN104207794B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 杨建;杨勇;郑永明;龚岚 | 申请(专利权)人: | 中测测试科技有限公司 |
主分类号: | A61B6/00 | 分类号: | A61B6/00 |
代理公司: | 成都信博专利代理有限责任公司51200 | 代理人: | 邓金涛 |
地址: | 610056 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及X射线参数测量仪,具体涉及一种测量乳腺钼靶X射线多参数的传感器阵列及其测量方法,包括电路板(1)和过滤盖(2),在电路板(1)上设有由三个SI‑PIN二极管组成的探测器阵列(3),在所述三个SI‑PIN二极管的表面加有稀土层,所述过滤盖(2)上位置与电路板(1)上探测器阵列相适应处设有三个过滤孔(4),所述三个过滤孔(4)的厚度相互不等,所述电路板(1)上有三个SI‑PIN的信号引出端口。本发明解决现有技术中针对乳腺钼靶X射线装置无法通过一次曝光测量管电压、半值层、剂量和曝光时间的问题,且本发明的测量方法操作简单,准确度高,安全性好,以及测量成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 测量 乳腺 射线 参数 传感器 阵列 及其 测量方法 | ||
【主权项】:
一种乳腺钼靶X射线多参数的测量方法,X射线多参数包括管电压、剂量及剂量率、曝光时间和半值层,其特征在于包括以下步骤:将X射线同时照射在三个具有不同厚度的过滤孔上,过滤孔的后方设置有由三个SI‑PIN二极管组成的探测器阵列,三个SI‑PIN二极管和三个过滤孔一一对应,所述三个SI‑PIN二极管接收到经过过滤孔过滤的X射线后,所形成的信号再经过AD转换器,形成三个电信号,分别为一号电信号、二号电信号和三号电信号;利用三个电信号经过计算得出管电压、剂量及剂量率、曝光时间和半值层:管电压的计算:获取X射线经过滤孔后的形成的一号电信号和二号电信号,分别为剂量值D1和剂量值D2,结合衰减系数μ得到剂量比,将剂量比对照至剂量比值与管电压对应的数值关系表,根据所述剂量比值与管电压对应数值关系表:即查出相应的管电压值;半值层:定义μx、μy为X射线衰减系数,取一号电信号、二号电信号和三号电信号,分别为经过过滤孔后的X射线强度值D1、D2和D3,由X射线强度值D2和D3得出衰减函数μx1,将X射线强度值D1除以D3可得到一个比例值μy1,采用PTW剂量计测量乳腺钼靶X射线机曝光时在固定管电压的半值层Hvl1,形成一个由μx1,μy1,Hvl1形成的刻度组(μx1,μy1,Hvl1),改变X射线机的管球电压形成另一个刻度组,最后形成半值层刻度系数表:根据半值层刻度系数表,即可得到半值层;剂量测量的算法:定义Svk为剂量修正因子,直接根据剂量刻度因子修正表即可得出剂量修正因子Svk和剂量率;曝光时间测量算法:当半导体有信号输出时用比较器的比较电压与该信号值进行对比,当信号量大于约定有效电压值时比较器将输出高电平,单片机通过识别这个高电平信号的有无从而启停定时器,进而可测量出医用诊断X射线机的曝光时间。
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