[发明专利]一种高亮度倒装紫外LED芯片制备方法

摘要

本发明提出一种高亮度倒装紫外LED芯片制备方法，能够提高紫外LED芯片的外量子效率，提高芯片亮度，降低芯片接触电压。Ni/Ag/Al组合高紫外反射率反射镜代替传统的厚Ag反射镜，对紫外光的反射率较高，远大于Ag镜在深紫外区域的反射效果，使用超薄的Ni/Ag退火后可以形成与P型氮化镓的欧姆接触，降低倒装芯片的接触电压，同时减少了传统的厚Ag反射镜对紫外光的吸收，即提高了芯片的亮度。

主权项

一种高亮度倒装紫外LED芯片制备方法，主要包括以下环节：(1)对紫外LED外延片表面的P型氮化镓层部分区域及其下的量子阱发光层进行刻蚀，直至暴露出N型氮化镓层；(2)在P型氮化镓表面旋涂光刻胶并对其进行曝光，使得曝光显影后光刻胶覆盖于所有刻蚀区域及与所有刻蚀区域相接的10微米以内的区域，然后蒸镀薄膜Ni/Ag层，Ni膜与Ag膜厚度之和不大于其中Ni膜厚度要求蒸发速率要求Ag膜厚度要求蒸发速率要求对蒸发Ni/Ag薄膜后的外延片进行剥离及去除胶，P型氮化镓表面形成Ni/Ag覆盖层，氮气保护环境下370～420℃进行退火5～10min，形成P型欧姆接触层；接着作同样的光刻工艺，然后蒸镀Al膜反射层，Al膜厚度要求蒸发速率要求再进行剥离及去胶，形成为具有高紫外反射率的P型欧姆接触Ni/Ag/Al薄膜；(3)在此时的紫外LED外延片表面沉积一层二氧化硅作为绝缘层，沿原刻蚀路径对绝缘层进行腐蚀形成N电极通孔，并单独在紫外LED外延片表面另一区域进行腐蚀至P型氮化镓层形成P电极通孔；(4)在N电极通孔、P电极通孔处分别蒸镀形成N金属塞、P金属塞；(5)针对N金属塞和P金属塞，分别蒸镀形成N绑定电极和P绑定电极，蒸发金属材料采用Au/Sn或者Ag/Sn；(6)金属退火熔合，氮气保护退火，即制备完成倒装紫外LED芯片。