[发明专利]一种抗软失效存储单元以及锁存器和触发器

摘要

本发明公开了一种抗软失效存储单元以及锁存器和触发器，所述一种抗软失效存储单元包括抗软失效电路，所述抗软失效电路的交叉耦合下拉NMOS管以及下拉保持NMOS管均各自串联一个NMOS管；所述一种抗软失效存储单元还包括反相器，所述交叉耦合下拉NMOS管的漏极均通过一所述反相器连接到与所述下拉保持NMOS管串联的NMOS管的栅极。本发明的种抗软失效存储单元以及锁存器和触发器在较低的延迟和功耗损失情况下，能够有效提高时序电路的抗软失效能力，在软失效问题日益显著的今天，具有重要应用价值和实际意义。

主权项

一种抗软失效存储单元，包括抗软失效电路，其特征在于，所述抗软失效电路的NMOS管均串联一个NMOS管；分别与所述抗软失效电路的第五MOS管和第六MOS管串联的第九MOS管、第十MOS管的栅极分别与所述抗软失效电路的第三MOS管、第四MOS管的栅极连接；还包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端连接所述第六MOS管的漏极，其输出端连接与所述抗软失效电路的第七MOS管串联的NMOS管的栅极；所述第二反相器的输入端连接所述第五MOS管的漏极，其输出端连接与所述抗软失效电路的第八MOS管串联的NMOS管的栅极；所述抗软失效电路包括四个上拉PMOS管，称为第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管；所述第一MOS管、第二MOS管通过交叉耦合连接形成交叉耦合上拉PMOS管，所述第三MOS管、第四MOS管的栅极分别与所述第一MOS管、第二MOS管的漏极连接；所述抗软失效电路还包括四个下拉NMOS管，称为第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管；所述四个下拉NMOS管串联的NMOS管的源极均接地；所述第五MOS管、第六MOS管通过交叉耦合连接形成交叉耦合下拉NMOS管，所述第七MOS、第八MOS的栅极分别与所述第六MOS管、第五MOS管的栅极连接；所述第七MOS管、第八MOS管的漏极分别与所述第一MOS管、第二MOS管的漏极连接；所述第三MOS、第四MOS的漏极分别与所述第五MOS、第六MOS的漏极连接。