[发明专利]一种大面积碳纳米管垂直阵列快速无损转移方法在审
| 申请号： | 201410483032.1 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN105439117A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李清文;张永毅;王苗;陈宏源;姚亚刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积碳纳米管垂直阵列快速无损转移方法，包括：将形成于第一基底上的碳纳米管垂直阵列置于弱氧化氛围中进行刻蚀处理，从而切断所述碳纳米管垂直阵列中碳纳米管与第一基底的联系，使所述碳纳米管与第一基底分离；以及，将所述碳纳米管垂直阵列从所述第一基底上完整剥离，并转移到第二基底上。本发明方法简单，易于操作，可控性好，成本低，可实现碳纳米管垂直阵列的快速、大面积、无损坏的单面/双面转移，并具有粘结剂使用种类广泛、转移基底不限的优点，还兼顾了碳纳米管垂直阵列的超强、超韧力学性能及优良的导电、导热性能，在电子封装用热界面材料、电极材料和复合材料添加层等领域具有潜在的重要应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 纳米 垂直 阵列 快速 无损 转移 方法 | ||
【主权项】：
一种大面积碳纳米管垂直阵列快速无损转移方法，其特征在于包括：将形成于第一基底上的碳纳米管垂直阵列置于弱氧化氛围中进行刻蚀处理，从而切断所述碳纳米管垂直阵列中碳纳米管与第一基底的联系，使所述碳纳米管与第一基底分离，以及，将所述碳纳米管垂直阵列从所述第一基底上完整剥离，并转移到第二基底上。
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