[发明专利]一种大面积碳纳米管垂直阵列快速无损转移方法

权利要求书

1.一种大面积碳纳米管垂直阵列快速无损转移方法，其特征在于包括：

将形成于第一基底上的碳纳米管垂直阵列置于弱氧化氛围中进行刻蚀处理，从而切断所述碳纳米管垂直阵列中碳纳米管与第一基底的联系，使所述碳纳米管与第一基底分离，

以及，将所述碳纳米管垂直阵列从所述第一基底上完整剥离，并转移到第二基底上。

2.根据权利要求1所述大面积碳纳米管垂直阵列快速无损转移方法，其特征在于所述碳纳米管的管径为1纳米~150纳米，高度为20微米~1厘米。

3.根据权利要求1所述大面积碳纳米管垂直阵列快速无损转移方法，其特征在于所述碳纳米管包括多壁碳纳米管。

4.根据权利要求1-3中任一项所述大面积碳纳米管垂直阵列快速无损转移方法，其特征在于在第一基底上形成所述碳纳米管垂直阵列的方式包括镀膜法催化剂生长、浮动催化法生长或模板法催化剂生长方式。

5.根据权利要求1所述大面积碳纳米管垂直阵列快速无损转移方法，其特征在于所述弱氧化氛围包括干燥空气、含水气空气、纯氧气、氧等离子体环境，且刻蚀处理的温度为0℃～500℃，时间为0.5分钟～10分钟。

6.根据权利要求5所述大面积碳纳米管垂直阵列快速无损转移方法，其特征在于:

若所述弱氧化氛围选自干燥空气、含水气空气或纯氧气，则刻蚀处理的温度低于500℃；

若所述弱氧化氛围选自氧等离子体环境，则刻蚀处理的温度低于200℃。

7.根据权利要求1所述大面积碳纳米管垂直阵列快速无损转移方法，其特征在于所述第二基底至少选自金属基底、无机非金属基底、聚合物基底中的任一种。

8.根据权利要求1或7所述大面积碳纳米管垂直阵列快速无损转移方法，其特征在于所述第二基底表面还设有粘附层。

9.根据权利要求8所述大面积碳纳米管垂直阵列快速无损转移方法，其特征在于所述粘附层包括金属焊料层、金属键合层或胶黏剂层。

10.根据权利要求8所述大面积碳纳米管垂直阵列快速无损转移方法，其特征在于用以组成所述粘附层的材料包括环氧树脂类胶黏剂、聚氨酯类胶黏剂、聚氯乙烯类胶黏剂、聚酰亚胺类胶黏剂或丙烯酸树脂类胶黏剂。